北方微电子NMC 14纳米等离子硅刻蚀机出货

2016-08-05 全球半导体观察


近日，由北方微电子自主研发的国内首台12英寸14纳米FinFET等离子硅刻蚀机正式进入上海集成电路研发中心（“ICRD”），与客户共同开展研发工作。

上海集成电路研发中心于2002年12月组建成立，2007年5月被国家发展和改革委员会等六部委核准为国家级集成电路研发中心。此次14纳米高端微电子装备的顺利进厂标志着中国集成电路装备技术取得了新的突破，也预示着中国集成电路产业即将迈入全新的技术时代。



14纳米集成电路制造技术是目前世界最先进的半导体工艺制造技术，自14nm(包括14nm)之后，采用FinFET 3D结构工艺已成为主流技术。

14纳米FinFET是一种新型多栅3D晶体管，和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件具有更显着的功耗和性能优势，14nm FinFET 3D工艺引入了截然不同的工艺流程，这对其流程中的关键制造设备带来了更高的挑战！

作为中国自主开发集成电路高端制造装备的先行者，北方微电子NMC 612D 14nm FinFET刻蚀机以全新的设计理念来实现14nm FinFET刻蚀工艺的要求。

设备采用了新开发的同步脉冲等离子技术，通过对等离子体的实时控制和诊断来实现低损伤和高选择比，采用多区ESC以获得更高的CD均匀性，增加高温上电极的设计来降低缺陷，增大Throughput，设备多项关键指标达到国际先进水平。



NMC 612D 14纳米等离子硅刻蚀机Move in上海集成电路研发中心是北方微电子通过技术创新取得又一重要成绩。凭借机台优异的性能和28nm的成功经验，期待NMC 612D14纳米等离子硅刻蚀机创造更多的优异成绩。

来源：北方微电子
http://www.aiweibang.com/m/detail/138284961.html?from=p

                               
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转个科普帖子

光刻机的工作原理是用光将电路结构临时“复制”到硅片上，而刻蚀机是按光刻机刻出的电路结构，刻出沟槽的设备，是在芯片上做减法，与之相应的是做加法（镀膜）。
光刻机用途广泛，有用于生产芯片的前道光刻机，有用于封装的后道光刻机，还有用于LED制造领域的投影光刻机。前道光刻机就是在芯片生产中将电路图映射到硅片上的光刻机，后道光刻机也被称为封装光刻机、bumping光刻机，在芯片生产出来后，线路图是裸露在外面的，还需要用后道光刻机来装个壳，就是常见的芯片四四方方、带针脚和商标的那一层。现在江阴的长电科技就是用后道光刻机来加工iphone 6芯片的。虽然在前道光刻机方面严重依赖进口，但在后道光刻机和投影光刻机方面，国内厂商还是颇为可圈可点的——上海微电子的国内市场占有率超过80%，全球市场占有率为40%；用于LED制造的投影光刻机的市场占有率为20%。
在半导体设备制造方面，中国和西方差距最大的就是光刻机——由于光刻机研发资金需求大，门槛高，从事光刻机研发的企业也越来越少，像日本的佳能和尼康过去也做光刻机，早些年Intel为了制衡ASML，扶持日本厂商与ASML对抗。但因日本金融风暴后失落的20年、少子化造成的产业衰退，佳能和尼康与ASML竞争中的劣势越来越大，佳能已经基本放弃光刻机领域，尼康的光刻机能做到20nm左右，但市场份额已经被ASML挤压，无力再继续重金投入研发。
目前，光刻机业界龙头老大是荷兰ASML。而EVU光刻机量产型号已经做到14nm水平，现在Intel、三星的14nm光刻机都是买自ASML。光刻机研发成本巨大，Intel、台积电、三星都是它的股东，重金供养ASML，并且有技术人员驻厂，格罗方德、联电以及中芯国际（大陆代工厂龙头老大）等代工厂的光刻机主要也是来自ASML。
与ASML相比，中国光刻机企业就显得相当寒碜——中国光刻机厂商有上海微电子装备有限公司、中国电子科技集团公司第四十五研究所、合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技有限公司、无锡影速半导体科技有限公司。在这几家公司中，处于技术领先的是上海微电子装备有限公司，该公司已量产的光刻机中性能最好的是90nm光刻机。
早在几年前，上海微电子就制造出90nm光刻机，当时国际主流代工厂的代工水平是65nm，平心而论，在这个情况下，制造出90nm光刻机，上海微电子还是蛮给力的，但因为最核心的光源是进口的，国外为了限制中国光刻机制造业，在核心零部件上限制中国，经常在核心零件上卡我们脖子。在技术上受制于人，导致上海微电子90nm光刻机无法规模化量产。
同时，西方国家对中国开放65nm光刻机，并通过各种渠道游说中国政府和国企，中国能够采购到比国产更先进的光刻机后，或多或少的影响了对光刻机核心零部件的研发，不同程度上减少了对上微的扶持力度。
因国内光刻机市场被外商占据，上微重金研发的90nm光刻机因光源技术上受制于人，导致产能不稳定，巨额研发资金血本无归。国家减少了扶持力度，导致上海微电子效益很差，研发人员无法安心研发技术，厂子人心浮动，造成大批技术骨干流失。
西方国家绞杀+在没有掌握核心设备生产能力+科研资金有限+技术团队流失的情况下，上海微电子的光刻机无法升级，所以到现在一直卡在90nm。
随着核高基02专项解决了光源、物镜等核心部件受制于人的情况，国产光刻机技术进步即将迎来一个发展期，虽然据小道消息称已经成功研发出55nm级别的光刻机，但由于有国外大厂淘汰的二手设备的存在，使国产光刻机基本不具备市场竞争力。

北斗星 发表于 2016-8-13 21:29