日本三菱公司推出3.5GHz氮化镓高电子迁移率晶体管器件

日本三菱公司推出3.5GHz氮化镓高电子迁移率晶体管器件
2015-03-12

[据化合物半导体网站2015年3月11日报道]  日本三菱公司今天宣布已研制出工作在3.5GHz、可为4G基站收发台（BTS）提供高等级输出功率和效率的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），并将在4月1日提供样品。
随着长距离演进（LTE）和LTE先进移动网络的发展，对BTS的需求不断增加。因为BTS可提供增强的数据传输能力、更小的尺寸和更低的功耗。
为此，日本三菱电子公司已研发出并开始提供宏蜂窝和微蜂窝BTS用世界领先级高输出、高效率GaN HEMT。据该公司表示，这些器件可为宏蜂窝BTS提供世界领先的100W输出功率。而且，高效率可帮助减少BTS尺寸和功率输出。
宏蜂窝BTS用100W器件可实现74%的沟道效率。微蜂窝BTS用9W器件可实现67%沟道效率。高效率可简化冷却系统，进而减小尺寸和功耗。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所  张倩）